這款新FRAM  產(chǎn)品是汽車電子控制單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場(chǎng)對(duì)低功率電子設(shè)備的需求，如ADAS。

FRAM的讀/寫耐久性、寫速度和功耗優(yōu)于EEPROM和閃存。一些對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器性能不滿意的客戶采用了我們的FRAM。

自2017年以來(lái)，富士通電子不斷推出工作電壓為3.3V或5 V的64Kbit~2Mbit汽車FRAM  產(chǎn)品，但隨著高端汽車電子控制單元的推出，一些客戶開(kāi)始要求FRAM的工作電壓低于1.8V，富士通電子最近推出了這款全新的FRAM，以滿足這一市場(chǎng)需求。

在-40C至125C的溫度范圍內(nèi)，MB85RS2MLY可實(shí)現(xiàn)1000萬(wàn)次讀/寫，適合一些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，如果連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，寫入次數(shù)將超過(guò)30億次。此外，本次產(chǎn)品可靠性試驗(yàn)符合AEC-Q100一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到汽車級(jí)產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。因此，就數(shù)據(jù)寫入的耐用性和可靠性而言，富士通電子的最新FRAM完全支持需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用，如ADAS。