最近發布的雙MOSFET  RS-S(ON)典型值在10V時低至10 mW，是3mm  x  3mm封裝中導通電阻最低的60 V器件，比該封裝尺寸中排名第二的產品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。

從而降低功率通道壓降，降低功耗，提高效率。為了提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON)面積積比排名第二的替代MOSFET低46.6%，甚至包括更大的6mm5mm封裝解決方案。

為了節省PCB空間，減少元器件數量，簡化設計，器件采用優化的封裝結構，兩個單片集成的挖溝機？第四代n-溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN的源極觸點并排布置，與傳統的雙封裝器件相比，增加了印刷電路板的接觸面積，進一步降低了電阻率。這種設計使金屬氧化物半導體場效應晶體管適用于24伏系統和工業應用的雙向開關，包括工廠自動化、電動工具、無人機、電機驅動器、白色家電、機器人、安全/監控和煙霧報警器。